紫外光刻机
品牌：中国科学院光电技术研究所
简介：紫外光刻机是利用一定波长的紫外光，通过掩模版使特定区域的光透过，从而辐照到光刻胶表面进行曝光。紫外光刻是典型的大面积光刻技术，能够快速实现微纳光学器件地复制。所用的波长一般为365nm，极限曝光分辨率为1μm，对准精度0.6μm，最大掩模尺寸为5英寸，样品尺寸支持各种不规则片以及4英寸晶圆，具有真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光以及接近曝光四种功能。同时可提供紫外纳米压印功能，最高分辨率可达50nm。
