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    极紫外、X射线与中子方向获2021年中国仪器仪表学会技术发明一等奖

    发布时间:2021-08-12 发布者: 来源: 浏览:

    2021年8月12日,2021年度中国仪器仪表学会科学技术奖获奖名单公布,团队极紫外、X射线与中子方向的王占山、黄秋实、张众、齐润泽、伊圣振、李文斌完成的项目“大尺寸高效率极紫外与X射线薄膜器件技术及应用”从众多项目中脱颖而出,荣获中国仪器仪表学会技术发明一等奖。

    极紫外与X射线(XUV)光学技术对前沿科学问题解决、国防装备进步、高新技术产业发展有重大支撑作用。XUV薄膜器件是其光学系统的核心,膜厚仅为几纳米至不足1纳米。受纳米薄膜界面缺陷形成规律认识和制备技术的限制,XUV薄膜器件长期存在反射率低、器件尺寸小、衍射效率差三大问题,无法满足同步辐射光源和强场等离子体诊断等重大科学工程建设的需求,亟待创新。

    项目组历经二十年,创建了XUV薄膜器件界面缺陷的解耦精确表征方法,揭示了原子不均匀结晶、扩散混合和化合反应三大缺陷的形成规律;发明了基于不同材料的原子级阻隔层和氩氮混合反应溅射等XUV薄膜器件界面缺陷调控技术,解决了膜层不均匀结晶、扩散混合和化合反应有效抑制的难题,显著提升了XUV薄膜器件的反射率;发明了倾斜粒子调控和膜厚精确控制等大尺寸XUV薄膜生长技术,突破了大尺寸纳米薄膜生长中界面结构和膜层厚度的控制难题;发明了XUV纳米薄膜在微纳结构上的复形生长技术,实现了二维多层膜光栅的精确构筑,大幅提升了光栅器件的衍射效率。该项目获授权发明专利16项,发表SCI论文72篇;研制的XUV薄膜器件在英国Diamond光源、德国BESSY-II光源、上海光源、北京光源、中国工程物理研究院等国内外科研院所获得成功应用;近三年,实现直接经济效益逾6千万元。由中国仪器仪表学会组织,以庄松林院士为主任、姜会林院士和谭久彬院士为副主任的鉴定委员会,一致认为:“本项目成果整体性能达到国际先进水平,其中XUV薄膜反射率和多层膜光栅效率达到国际领先水平”。